SQM50034EL_GE3 MOSFET N-KANAVA 60-V (DS) 175C MOSFET
♠ Tuotekuvaus
| Tuotteen ominaisuus | Attribuutin arvo |
| Valmistaja: | Vishay |
| Tuotekategoria: | MOSFET |
| RoHS: | Yksityiskohdat |
| Tekniikka: | Si |
| Asennustyyli: | SMD/SMT |
| Paketti/kotelo: | TO-263-3 |
| Transistorin napaisuus: | N-kanava |
| Kanavien määrä: | 1 kanava |
| Vds - tyhjennyslähteen läpijakojännite: | 60 V |
| Id - Jatkuva tyhjennysvirta: | 100 A |
| Rds päällä - tyhjennyslähteen vastus: | 3,2 mOhmia |
| Vgs – portin lähteen jännite: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - portin lähteen kynnysjännite: | 2 V |
| Qg – porttimaksu: | 60 nC |
| Minimi käyttölämpötila: | -55 C |
| Maksimi käyttölämpötila: | +175 C |
| Pd - Tehonhäviö: | 150 W |
| Kanavatila: | Tehostaminen |
| Kauppanimi: | TrenchFET |
| Brändi: | Vishay / Siliconix |
| Kokoonpano: | Yksittäinen |
| Syksyn aika: | 7 ns |
| Tuotetyyppi: | MOSFET |
| Nousuaika: | 7 ns |
| Sarja: | SQ |
| Tehdaspakkauksen määrä: | 800 |
| Alaluokka: | MOSFETit |
| Tyypillinen sammutusviive: | 33 ns |
| Tyypillinen käynnistysviive: | 15 ns |
| Yksikköpaino: | 0,139332 oz |
• TrenchFET® teho MOSFET
• Pakkaus alhainen lämpövastus
• 100 % Rg ja UIS testattu
• AEC-Q101-hyväksytty
