NVTFS5116PLTWG MOSFET yksi P-kanava 60V,14A,52mohm
♠ Tuotekuvaus
| Tuotteen ominaisuus | Attribuutin arvo |
| Valmistaja: | onsemi |
| Tuotekategoria: | MOSFET |
| Tekniikka: | Si |
| Asennustyyli: | SMD/SMT |
| Paketti/kotelo: | WDFN-8 |
| Transistorin napaisuus: | P-kanava |
| Kanavien määrä: | 1 kanava |
| Vds - tyhjennyslähteen läpijakojännite: | 60 V |
| Id - Jatkuva tyhjennysvirta: | 14 A |
| Rds päällä - tyhjennyslähteen vastus: | 52 mOhmia |
| Vgs – portin lähteen jännite: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - portin lähteen kynnysjännite: | 3 V |
| Qg – porttimaksu: | 25 nC |
| Minimi käyttölämpötila: | -55 C |
| Maksimi käyttölämpötila: | +175 C |
| Pd - Tehonhäviö: | 21 W |
| Kanavatila: | Tehostaminen |
| Pätevyys: | AEC-Q101 |
| Pakkaus: | Kela |
| Pakkaus: | Leikkaa nauha |
| Pakkaus: | MouseReel |
| Brändi: | onsemi |
| Kokoonpano: | Yksittäinen |
| Forward Transconductance - Min: | 11 S |
| Tuotetyyppi: | MOSFET |
| Sarja: | NVTFS5116PL |
| Tehdaspakkauksen määrä: | 5000 |
| Alaluokka: | MOSFETit |
| Transistorin tyyppi: | 1 P-kanava |
| Yksikköpaino: | 0,001043 unssia |
• Pieni koko (3,3 x 3,3 mm) kompaktiin muotoiluun
• Matala RDS(päällä) johtohäviöiden minimoimiseksi
• Matala kapasitanssi minimoi ohjainten häviöt
• NVTFS5116PLWF − Kostuva kylkituote
• AEC−Q101-hyväksytty ja PPAP-yhteensopiva
• Nämä laitteet ovat Pb-vapaita ja ovat RoHS-yhteensopivia
