NDS331N MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
♠ Tuotekuvaus
| Tuotteen ominaisuus | Attribuutin arvo |
| Valmistaja: | onsemi |
| Tuotekategoria: | MOSFET |
| Tekniikka: | Si |
| Asennustyyli: | SMD/SMT |
| Paketti/kotelo: | SOT-23-3 |
| Transistorin napaisuus: | N-kanava |
| Kanavien määrä: | 1 kanava |
| Vds - tyhjennyslähteen läpijakojännite: | 20 V |
| Id - Jatkuva tyhjennysvirta: | 1,3 A |
| Rds päällä - tyhjennyslähteen vastus: | 210 mOhmia |
| Vgs – portin lähteen jännite: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - portin lähteen kynnysjännite: | 500 mV |
| Qg – porttimaksu: | 5 nC |
| Minimi käyttölämpötila: | -55 C |
| Maksimi käyttölämpötila: | +150 C |
| Pd - Tehonhäviö: | 500 mW |
| Kanavatila: | Tehostaminen |
| Pakkaus: | Kela |
| Pakkaus: | Leikkaa nauha |
| Pakkaus: | MouseReel |
| Brändi: | onsemi / Fairchild |
| Kokoonpano: | Yksittäinen |
| Syksyn aika: | 25 ns |
| Korkeus: | 1,12 mm |
| Pituus: | 2,9 mm |
| Tuote: | MOSFET pieni signaali |
| Tuotetyyppi: | MOSFET |
| Nousuaika: | 25 ns |
| Sarja: | NDS331N |
| Tehdaspakkauksen määrä: | 3000 |
| Alaluokka: | MOSFETit |
| Transistorin tyyppi: | 1 N-kanava |
| Tyyppi: | MOSFET |
| Tyypillinen sammutusviive: | 10 ns |
| Tyypillinen käynnistysviive: | 5 ns |
| Leveys: | 1,4 mm |
| Osa # aliakset: | NDS331N_NL |
| Yksikköpaino: | 0,001129 oz |
♠ N-kanavainen logiikkatason parannustilan kenttätehotransistori
Nämä N-Channel logiikkatason tehostustilan tehokenttätransistorit on valmistettu käyttämällä ON Semiconductorin patentoitua korkean solutiheyden DMOS-tekniikkaa.Tämä erittäin tiheä prosessi on erityisesti räätälöity minimoimaan on-state vastus.Nämä laitteet soveltuvat erityisesti pienjännitesovelluksiin kannettavissa tietokoneissa, kannettavissa puhelimissa, PCMCIA-korteissa ja muissa akkukäyttöisissä piireissä, joissa tarvitaan nopeaa vaihtoa ja pientä in-line-tehohäviötä erittäin pienessä pinta-asennuspaketissa.
• 1,3 A, 20 V
♦ RDS(päällä) = 0,21 @ VGS = 2,7 V
♦ RDS(päällä) = 0,16 @ VGS = 4,5 V
• Teollisuuden standardi Outline SOT−23 pinta-asennuspaketti käytössä
Patentoitu SUPERSOT−3-suunnittelu ylivertaisiin lämpö- ja sähköominaisuuksiin
• High Density Cell Design äärimmäisen alhaiselle RDS:lle (päällä)
• Poikkeuksellinen päällekytkentävastus ja maksimaalinen tasavirtakapasiteetti
• Tämä on Pb-vapaa laite
