IKW75N65EH5XKSA1 IGBT-transistorit TEOLLISUUS 14

Lyhyt kuvaus:

Valmistaja: Infineon Technologies
Tuoteluokka: Transistorit – IGBT:t – Yksittäiset
Tietolomake:IKW75N65EH5XKSA1
Kuvaus: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
RoHS-tila: RoHS-yhteensopiva


Tuotetiedot

ominaisuudet

Sovellukset

Tuotetunnisteet

♠ Tuotekuvaus

Tuotteen ominaisuus Attribuutin arvo
Valmistaja: Infineon
Tuotekategoria: IGBT-transistorit
Tekniikka: Si
Paketti/kotelo: TO-247-3
Asennustyyli: Reiän läpi
Kokoonpano: Yksittäinen
Kerääjä-Emitterijännite VCEO Max: 650 V
Keräimen ja emitterin kyllästysjännite: 1,65 V
Suurin portin lähetinjännite: 20 V
Jatkuva keräinvirta 25 C:ssa: 90 A
Pd - Tehonhäviö: 395 W
Minimi käyttölämpötila: -40 C
Maksimi käyttölämpötila: +175 C
Sarja: Trenchstop IGBT5
Pakkaus: Putki
Brändi: Infineon Technologies
Portin lähettimen vuotovirta: 100 nA
Korkeus: 20,7 mm
Pituus: 15,87 mm
Tuotetyyppi: IGBT-transistorit
Tehdaspakkauksen määrä: 240
Alaluokka: IGBT:t
Kauppanimi: HAIDASTOPAS
Leveys: 5,31 mm
Osa # aliakset: IKW75N65EH5 SP001257948
Yksikköpaino: 0,211644 oz

 


  • Edellinen:
  • Seuraava:

  • HighspeedH5-teknologiatarjous
    • Luokkansa paras tehokkuus vaikeissa kytkentä- ja resonanssitopologioissa
    •Plugandplay korvaa edellisen sukupolven IGBT:t
    •650V jakojännite
    •LowgatechargeQG
    •IGBT-pakattu täysimittaisella RAPID1-pitävällä ja pehmeällä antirinnakkaisdiodilla
    •Enimmäisliitoslämpötila175°C
    •JEDEC:n mukaan hyväksytty kohdesovelluksiin
    •Pb-vapaa lyijypinnoitus; RoHS-yhteensopiva
    •Täydellinen tuotespektri ja PSpiceModels: http://www.infineon.com/igbt/

    • Keskeytymättömät virtalähteet
    •Aurinkomuuntimet
    •Hitsausmuuntimet
    •Keski-korkeaalueen kytkentätaajuusmuuntimet

    Liittyvät tuotteet