FDN337N MOSFET SSOT-3 N-CH 30V
♠ Tuotekuvaus
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Valmistaja: | onsemi |
| Tuotekategoria: | MOSFET |
| RoHS: | Detalles |
| Teknologia: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete / Cubierta: | SSOT-3 |
| Polaridad del transistori: | N-kanava |
| Kanavien numerot: | 1 kanava |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 30 V |
| Id - Corriente de drenaje Continua: | 2,2 A |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 65 mOhmia |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 400 mV |
| Qg - Carga de puerta: | 9 nC |
| Lämpötila de trabajo minima: | -55 C |
| Temperatura de trabajo maxima: | +150 C |
| Dp - Disipación de potencia: | 500 mW |
| Modon kanava: | Tehostaminen |
| Empaquetado: | Kela |
| Empaquetado: | Leikkaa nauha |
| Empaquetado: | MouseReel |
| Marka: | onsemi / Fairchild |
| Asetukset: | Yksittäinen |
| Tiempo de caída: | 10 ns |
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 13 S |
| Altura: | 1,12 mm |
| Pituusaste: | 2,9 mm |
| Tuotanto: | MOSFET pieni signaali |
| Tuotevinkki: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 10 ns |
| Sarja: | FDN337N |
| Cantidad de empaque de fábrica: | 3000 |
| Alaluokka: | MOSFETit |
| Transistorin tyyppi: | 1 N-kanava |
| Tipo: | FET |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 17 ns |
| Tiempo típico de demora de encendido: | 4 ns |
| Ancho: | 1,4 mm |
| Alias de las piezas n.º: | FDN337N_NL |
| Unidadin peso: | 0,001270 unssia |
♠ Transistori - N-kanava, logiikkataso, parannustilan kenttätehoste
SUPERSOT-3 N-Channel logiikkatason tehostustilan tehokenttätehotransistorit valmistetaan käyttämällä onsemin patentoitua, korkean solutiheyden DMOS-tekniikkaa.Tämä erittäin tiheä prosessi on erityisesti räätälöity minimoimaan on-state vastus.Nämä laitteet soveltuvat erityisesti pienjännitesovelluksiin kannettavissa tietokoneissa, kannettavissa puhelimissa, PCMCIA-korteissa ja muissa akkukäyttöisissä piireissä, joissa tarvitaan nopeaa vaihtoa ja pientä in-line-tehohäviötä erittäin pienessä pinta-asennuspaketissa.
• 2,2 A, 30 V
♦ RDS(päällä) = 0,065 @ VGS = 4,5 V
♦ RDS(päällä) = 0,082 @ VGS = 2,5 V
• Teollisuuden standardimalli SOT−23 pinta-asennuspaketti, joka käyttää patentoitua SUPERSOT−3-suunnittelua ylivertaisiin lämpö- ja sähköominaisuuksiin
• High Density Cell Design äärimmäisen alhaiselle RDS:lle (päällä)
• Poikkeuksellinen päällekytkentävastus ja maksimaalinen tasavirtakapasiteetti
• Tämä laite on Pb-vapaa ja halogeeniton
