FDC8878 MOSFET 30V N-kanavainen PowerTrench MOSFET

Valmistajat: ON Semiconductor

Tuoteluokka: Transistorit – FETit, MOSFETit – Yksittäiset

Tietolomake:FDC8878

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 8A 6-SSOT

RoHS-tila: RoHS-yhteensopiva

Tuotetiedot

Atributo del producto	Valor de atributo
Valmistaja:	onsemi
Tuotekategoria:	MOSFET
RoHS:	Detalles
Teknologia:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SSOT-6
Polaridad del transistori:	N-kanava
Kanavien numerot:	1 kanava
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje Continua:	8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	16 mOhmia
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1,2 V
Qg - Carga de puerta:	18 nC
Lämpötila de trabajo minima:	-55 C
Temperatura de trabajo maxima:	+150 C
Dp - Disipación de potencia:	800 mW
Modon kanava:	Tehostaminen
Kaupallinen nimi:	PowerTrench
Empaquetado:	Kela
Empaquetado:	Leikkaa nauha
Empaquetado:	MouseReel
Marka:	onsemi / Fairchild
Asetukset:	Yksittäinen
Altura:	1,1 mm
Pituusaste:	2,9 mm
Tuotevinkki:	MOSFET
Sarja:	FDC8878
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Alaluokka:	MOSFETit
Transistorin tyyppi:	1 N-kanava
Ancho:	1,6 mm
Unidadin peso:	0,001270 unssia