VNS3NV04DPTR-E porttiohjaimet OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
♠ Tuotekuvaus
| Tuotteen ominaisuus | Attribuutin arvo |
| Valmistaja: | STMicroelectronics |
| Tuotekategoria: | Portin kuljettajat |
| RoHS: | Yksityiskohdat |
| Tuote: | MOSFET-portin ajurit |
| Tyyppi: | Matala puoli |
| Asennustyyli: | SMD/SMT |
| Paketti/kotelo: | SOIC-8 |
| Kuljettajien määrä: | 2 Kuljettaja |
| Lähtöjen määrä: | 2 Lähtö |
| Lähtövirta: | 5 A |
| Syöttöjännite - Max: | 24 V |
| Nousuaika: | 250 ns |
| Syksyn aika: | 250 ns |
| Minimi käyttölämpötila: | -40 C |
| Maksimi käyttölämpötila: | +150 C |
| Sarja: | VNS3NV04DP-E |
| Pätevyys: | AEC-Q100 |
| Pakkaus: | Kela |
| Pakkaus: | Leikkaa nauha |
| Pakkaus: | MouseReel |
| Brändi: | STMicroelectronics |
| Kosteudelle herkkä: | Joo |
| Käyttöjännite: | 100 uA |
| Tuotetyyppi: | Portin kuljettajat |
| Tehdaspakkauksen määrä: | 2500 |
| Alaluokka: | PMIC - Virranhallintapiirit |
| Tekniikka: | Si |
| Yksikköpaino: | 0,005291 unssia |
♠ OMNIFET II täysin automaattisesti suojattu Power MOSFET
VNS3NV04DP-E-laite koostuu kahdesta monoliittisesta sirusta (OMNIFET II), jotka on sijoitettu vakiomuotoiseen SO-8-pakkaukseen.OMNIFET II on suunniteltu käyttämällä STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 -tekniikkaa ja se on tarkoitettu korvaamaan tavallisia Power MOSFETeja jopa 50 kHz DC -sovelluksissa.
Sisäänrakennettu lämpösammutus, lineaarinen virran rajoitus ja ylijännitepuristin suojaavat sirua ankarissa ympäristöissä.
Vikapalaute voidaan havaita tarkkailemalla tulonastan jännitettä
■ ECOPACK®: lyijytön ja RoHS-yhteensopiva
■ Automotive Grade: AEC-ohjeiden mukainen
■ Lineaarinen virtarajoitus
■ Lämpöpysäytys
■ Oikosulkusuojaus
■ Integroitu puristin
■ Alhainen virta otettu tulonastasta
■ Diagnostinen palaute tulonastan kautta
■ ESD-suojaus
■ Suora pääsy Power MOSFETin porttiin (analoginen ajo)
■ Yhteensopiva standardin Power MOSFETin kanssa
