VNB35N07TR-E Virtakytkimen IC-piirit – Virranjakelu OMNIFETII Täysin automaattinen suojaus Pwr MOSFET
♠ Tuotekuvaus
Tuotteen ominaisuus | Ominaisuuden arvo |
Valmistaja: | STMicroelectronics |
Tuotekategoria: | Virtakytkimen IC-piirit - Virranjakelu |
Tyyppi: | Alhainen puoli |
Lähtöjen lukumäärä: | 1 Lähtö |
Virtaraja: | 35 A |
Vastus - Maksimi: | 28 mOhmia |
Aikataulussa - Maksimi: | 200 ns |
Pois päältä - Maks.: | 1 meistä |
Käyttöjännite: | 28 V |
Minimikäyttölämpötila: | - 40 °C |
Suurin käyttölämpötila: | +150 °C |
Kiinnitystapa: | SMD/SMT |
Pakkaus / Kotelo: | D2PAK-3 |
Sarja: | VNB35N07-E |
Pätevyys: | AEC-Q100 |
Pakkaus: | Kela |
Pakkaus: | Leikkaa teippi |
Pakkaus: | MouseReel |
Merkki: | STMicroelectronics |
Kosteusherkkä: | Kyllä |
Pd - Tehonhäviö: | 125 000 mW |
Tuotetyyppi: | Virtakytkimen IC-piirit - Virranjakelu |
Tehtaan pakkauksen määrä: | 1000 |
Alaluokka: | Kytkin-IC:t |
Yksikön paino: | 0,079014 unssia |
♠ OMNIFET: täysin automaattisesti suojattu teho-MOSFET
VNP35N07-E, VNB35N07-E ja VNV35N07-E ovat monoliittisia laitteita, jotka on valmistettu STMicroelectronics VIPower® -teknologialla ja jotka on tarkoitettu korvaamaan standardinmukaisia teho-MOSFET-transistoreita DC-50 kHz:n sovelluksissa.
Sisäänrakennettu lämpökatkaisu, lineaarinen virranrajoitus ja ylijännitesuoja suojaavat sirua ankarissa olosuhteissa.
Vikakytkentä voidaan havaita tarkkailemalla jännitettä tulonastassa.
• Autoteollisuuden hyväksyntä
• Lineaarinen virranrajoitus
• Lämpökatkaisu
• Oikosulkusuojaus
• Integroitu puristin
• Tuloliittimestä otetaan vähän virtaa
• Diagnostinen palaute tulonastan kautta
• ESD-suojaus
• Suora pääsy Power MOSFETin hilaan (analoginen ohjaus)
• Yhteensopiva tavallisen Power MOSFETin kanssa
• Vakiokokoinen TO-220-paketti
• Yhteensopiva eurooppalaisen direktiivin 2002/95/EY kanssa