IPD50N04S4-08 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ Tuotekuvaus
Tuotteen ominaisuus | Ominaisuuden arvo |
Valmistaja: | Infineon |
Tuotekategoria: | MOSFET |
Teknologia: | Si |
Kiinnitystapa: | SMD/SMT |
Pakkaus / Kotelo: | TO-252-3 |
Transistorin napaisuus: | N-kanava |
Kanavien lukumäärä: | 1 kanava |
Vds - tyhjennys-lähde-lähijakautumisjännite: | 40 V |
Id - Jatkuva tyhjennysvirta: | 50 A |
Rds päällä - tyhjennys-lähdevastus: | 7,2 mOhmia |
Vgs - portti-lähdejännite: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Portti-lähdekynnysjännite: | 2 V |
Qg - Portin lataus: | 22,4 nC |
Minimikäyttölämpötila: | - 55 astetta |
Suurin käyttölämpötila: | +175 °C |
Pd - Tehonhäviö: | 46 W |
Kanavatila: | Parannus |
Pätevyys: | AEC-Q101 |
Kauppanimi: | OptiMOS |
Pakkaus: | Kela |
Pakkaus: | Leikkaa teippi |
Pakkaus: | MouseReel |
Merkki: | Infineon Technologies |
Kokoonpano: | Yksittäinen |
Syksyn aika: | 6 ns |
Korkeus: | 2,3 mm |
Pituus: | 6,5 mm |
Tuotetyyppi: | MOSFET |
Nousuaika: | 7 ns |
Sarja: | OptiMOS-T2 |
Tehtaan pakkauksen määrä: | 2500 |
Alaluokka: | MOSFETit |
Transistorin tyyppi: | 1 N-kanava |
Tyypillinen sammutusviiveaika: | 5 ns |
Tyypillinen käynnistysviive: | 5 ns |
Leveys: | 6,22 mm |
Osan # aliakset: | IPD5N4S48XT SP000711450 IPD50N04S408ATMA1 |
Yksikön paino: | 0,011640 unssia |
• N-kanava – Parannustila
• AEC-hyväksytty
• MSL1 jopa 260 °C:n huippulämpötilassa uudelleensulatuksessa
• Käyttölämpötila 175 °C
• Ympäristöystävällinen tuote (RoHS-yhteensopiva)
• 100 % lumivyörytestattu