FDC6303N MOSFET SSOT-6 N-CH 25V

Valmistajat: ON Semiconductor

Tuoteluokka: Transistorit – FETit, MOSFETit – taulukot

Tietolomake:FDC6303N

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6

RoHS-tila: RoHS-yhteensopiva

Tuotetiedot

Tuotteen ominaisuus	Attribuutin arvo
Valmistaja:	onsemi
Tuotekategoria:	MOSFET
RoHS:	Yksityiskohdat
Tekniikka:	Si
Asennustyyli:	SMD/SMT
Paketti/kotelo:	SSOT-6
Transistorin napaisuus:	N-kanava
Kanavien määrä:	2 kanavaa
Vds - tyhjennyslähteen läpijakojännite:	25 V
Id - Jatkuva tyhjennysvirta:	680 mA
Rds päällä - tyhjennyslähteen vastus:	450 mOhmia
Vgs – portin lähteen jännite:	- 8 V, + 8 V
Vgs th - portin lähteen kynnysjännite:	650 mV
Qg – porttimaksu:	2,3 nC
Minimi käyttölämpötila:	-55 C
Maksimi käyttölämpötila:	+150 C
Pd - Tehonhäviö:	900 mW
Kanavatila:	Tehostaminen
Pakkaus:	Kela
Pakkaus:	Leikkaa nauha
Pakkaus:	MouseReel
Brändi:	onsemi / Fairchild
Kokoonpano:	Kaksinkertainen
Syksyn aika:	8,5 ns
Forward Transconductance - Min:	0,145 S
Korkeus:	1,1 mm
Pituus:	2,9 mm
Tuote:	MOSFET pieni signaali
Tuotetyyppi:	MOSFET
Nousuaika:	8,5 ns
Sarja:	FDC6303N
Tehdaspakkauksen määrä:	3000
Alaluokka:	MOSFETit
Transistorin tyyppi:	2 N-kanavaa
Tyyppi:	FET
Tyypillinen sammutusviive:	17 ns
Tyypillinen käynnistysviive:	3 ns
Leveys:	1,6 mm
Osa # aliakset:	FDC6303N_NL
Yksikköpaino:	0,001270 unssia